International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP08N80C3XKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

SPP08N80C3XKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SPP08N80C3XKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 470µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO-220-3
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5.1A, 10V
Verlustleistung (max)

104W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SP000683156
SPP08N80C3
SPP08N80C3IN
SPP08N80C3IN-ND
SPP08N80C3X
SPP08N80C3XTIN
SPP08N80C3XTIN-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Tc)

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Das Folgende sind "SPP08N80C3XKSA1" -Einziper.

SPP07N65C3XKSA1

Beschreibung: LOW POWER_LEGACY

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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