International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP21N50C3HKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

SPP21N50C3HKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SPP21N50C3HKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO220-3-1
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 13.1A, 10V
Verlustleistung (max)

208W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SPP21N50C3
SPP21N50C3IN
SPP21N50C3IN-ND
SPP21N50C3X
SPP21N50C3XK
SPP21N50C3XTIN
SPP21N50C3XTIN-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

560V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 560V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

21A (Tc)

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Das Folgende sind "SPP21N50C3HKSA1" -Einziper.

SPP24N60C3XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPP21N50C3HKSA1

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