International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP80N06S2-07

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Spezifikation

Artikelnummer

SPP80N06S2-07
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

SPP80N06S2-07.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 180µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO220-3-1
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6 mOhm @ 68A, 10V
Verlustleistung (max)

250W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

SP000013579
SPP80N06S207
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4540pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 55V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Das Folgende sind "SPP80N06S2-07" -Einziper.

SPP80N04S2L-03

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SPP80N06S2-07

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