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3174643ISL6613BECBZ-Bild.Intersil

ISL6613BECBZ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ISL6613BECBZ
  • Hersteller / Marke
    Intersil (Renesas Electronics Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ISL6613BECBZ.pdf
  • Spannungsversorgung
    7 V ~ 13.2 V
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOIC-EP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    26ns, 18ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 125°C (TJ)
  • Anzahl der Treiber
    2
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Logikspannung - VIL, VIH
    -
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Non-Inverting
  • High-Side-Spannung - Max (Bootstrap)
    36V
  • Gate-Typ
    N-Channel MOSFET
  • Angetriebene Konfiguration
    Half-Bridge
  • detaillierte Beschreibung
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  • Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink)
    1.25A, 2A
  • Ladestrom
    Synchronous
  • Basisteilenummer
    ISL6613B

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ISL6613BECB-T

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Beschreibung: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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ISL6613BCR

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Beschreibung: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

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ISL6613BCBZ

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ISL6613BIBZ-T

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ISL6613BCRZ-T

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ISL6613BIR

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ISL6613BCBZ-T

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ISL6613BCB

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ISL6613BEIB-T

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ISL6613BECB

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ISL6613BECBZ-T

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