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KGF16N05D-400

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    KGF16N05D-400
  • Hersteller / Marke
    Intersil (Renesas Electronics Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    KGF16N05D-400.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    0.9V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    20-WLCSP (2.48x1.17)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.95 mOhm @ 8A, 4.5V
  • Leistung - max
    2.5W (Ta)
  • Verpackung / Gehäuse
    20-UFLGA, CSP
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.5nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    5.5V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 5.5V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 20-WLCSP (2.48x1.17)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    16A (Ta)

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Das Folgende sind "KGF16N05D-400" -Einziper.
ALD110802PCL

ALD110802PCL

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
RFQ
NVMFD5C674NLT1G

NVMFD5C674NLT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
APTM100VDA35T3G

APTM100VDA35T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTC60TAM21SCTPAG

APTC60TAM21SCTPAG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
ALD210800APCL

ALD210800APCL

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
RFQ
DMN5L06DMKQ-7

DMN5L06DMKQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
AON3816

AON3816

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DMN2041UFDB-7

DMN2041UFDB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IPG20N06S2L50ATMA1

IPG20N06S2L50ATMA1

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFHM8363TR2PBF

IRFHM8363TR2PBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
KGF6N05D-400

KGF6N05D-400

Beschreibung: IC MOSFET N-CH

Hersteller: Intersil
vorrätig
RFQ
SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SSM6P15FE(TE85L,F)

SSM6P15FE(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
AON5802BL

AON5802BL

Beschreibung: MOSFET N-CH DUAL 30V 6DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
KGF12N05-400-SP

KGF12N05-400-SP

Beschreibung: IC MOSFET N-CH

Hersteller: Intersil
vorrätig
RFQ
SP8M6TB

SP8M6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDMB3900AN

FDMB3900AN

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SH8K4TB1

SH8K4TB1

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SSM6N42FE(TE85L,F)

SSM6N42FE(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
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