Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BAS21HMFHT116
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
47414BAS21HMFHT116-Bild.LAPIS Semiconductor

BAS21HMFHT116

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$0.15
10+
$0.14
100+
$0.092
500+
$0.045
1000+
$0.031
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS21HMFHT116
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 200MA SSD3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.BAS21HMFHT116.pdf
    2.BAS21HMFHT116.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SSD3
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    BAS21HMFHT116DKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 200mA (DC) Surface Mount SSD3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    2.5pF @ 0V, 1MHz

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "BAS21HMFHT116" -Einziper.
BAS21E6433HTMA1

BAS21E6433HTMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS21HT1G

BAS21HT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS21DW-7

BAS21DW-7

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS21E6327HTSA1

BAS21E6327HTSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS21DWAQ-7

BAS21DWAQ-7

Beschreibung: DIODE SW DL 2500V 100MA SOT353

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS21LT1G

BAS21LT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS21H,115

BAS21H,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS21LLYL

BAS21LLYL

Beschreibung: BAS21LL/SOD882/SOD2

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS21J,115

BAS21J,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS21DWA-7

BAS21DWA-7

Beschreibung: DIODE SW DL 2500V 100MA SOT353

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS21DW5T1G

BAS21DW5T1G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT353

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS21JF

BAS21JF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 250MA SC90

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS21HT3G

BAS21HT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS21E6359HTMA1

BAS21E6359HTMA1

Beschreibung: DIODE GP 200V 250MA SOT23-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS21GWX

BAS21GWX

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 225MA SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS21LDYL

BAS21LDYL

Beschreibung: BAS21LD/SOD882/SOD2

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS21LT3G

BAS21LT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS21PGX

BAS21PGX

Beschreibung: DIODE SW 250V 125MA SOT353

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS21M3T5G

BAS21M3T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS21GWJ

BAS21GWJ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 225MA SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.