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BR25G320FJ-3GE2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BR25G320FJ-3GE2
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    SPI BUS EEPROM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.BR25G320FJ-3GE2.pdf
    2.BR25G320FJ-3GE2.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    5ms
  • Spannungsversorgung
    1.6 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    EEPROM
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP-J
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    BR25G320FJ-3GE2CT
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    32Kb (4K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    SPI
  • Speicherformat
    EEPROM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    9 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    EEPROM Memory IC 32Kb (4K x 8) SPI 20MHz 8-SOP-J
  • Uhrfrequenz
    20MHz

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Das Folgende sind "BR25G320FJ-3GE2" -Einziper.
BR25G1MFJ-3GE2

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BR25G640NUX-3TR

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Beschreibung: IC EEPROM 64K SPI VSON008X2030

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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BR25G256FVT-3GE2

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Beschreibung: IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8TSSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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BR25G640FVM-3GTR

BR25G640FVM-3GTR

Beschreibung: IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8MSOP

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BR25G256F-3GE2

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Beschreibung: SPI BUS EEPROM

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BR25G128FVM-3GTR

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Beschreibung: SPI BUS EEPROM

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BR25H010F-2CE2

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Beschreibung: IC EEPROM 1K SPI 10MHZ 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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BR25G512FVT-3GE2

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Beschreibung: SPI BUS EEPROM

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BR25G512FJ-3GE2

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Beschreibung: SPI BUS EEPROM

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BR25G320FVT-3GE2

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Beschreibung: SPI BUS EEPROM

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BR25G256FJ-3GE2

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BR25G256-3

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Beschreibung: IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8DIP

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BR25G640F-3GE2

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BR25G128FVT-3GE2

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BR25G320NUX-3TR

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