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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > PMIC-Gate-Treiber > BS2103F-E2
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337770BS2103F-E2-Bild.LAPIS Semiconductor

BS2103F-E2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BS2103F-E2
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.BS2103F-E2.pdf
    2.BS2103F-E2.pdf
  • Spannungsversorgung
    10 V ~ 18 V
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    200ns, 100ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Andere Namen
    BS2103F-E2TR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Anzahl der Treiber
    2
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Logikspannung - VIL, VIH
    1V, 2.6V
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Non-Inverting
  • High-Side-Spannung - Max (Bootstrap)
    600V
  • Gate-Typ
    IGBT, N-Channel MOSFET
  • Angetriebene Konfiguration
    Half-Bridge
  • detaillierte Beschreibung
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP
  • Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink)
    60mA, 130mA
  • Ladestrom
    Independent

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Das Folgende sind "BS2103F-E2" -Einziper.
BS20P-SHF-1AA(LF)(SN)

BS20P-SHF-1AA(LF)(SN)

Beschreibung: CONN HEADER R/A 20POS NH

Hersteller: JST Sales America Inc.
vorrätig
RFQ
BS250PSTZ

BS250PSTZ

Beschreibung: MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BS2130F-GE2

BS2130F-GE2

Beschreibung: 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BS250FTC

BS250FTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BS2100F-E2

BS2100F-E2

Beschreibung: IC DVR IGBT/MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BS2180

BS2180

Beschreibung: LED BLUE 460NM WTR CLR SMD

Hersteller: Seoul Semiconductor
vorrätig
RFQ
BS250PSTOB

BS250PSTOB

Beschreibung: MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BS250KL-TR1-E3

BS250KL-TR1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BS201846EU

BS201846EU

Beschreibung: STRAP BRAIDED BONDING 2HOLE

Hersteller: Panduit
vorrätig
RFQ
BS24E

BS24E

Beschreibung: MARKINGPLATE10MMPITCH

Hersteller: Altech Corporation
vorrätig
RFQ
BS22-C

BS22-C

Beschreibung: CONN SPLICE 22-26 AWG CRIMP

Hersteller: Panduit
vorrätig
RFQ
BS250FTA

BS250FTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BS2-IC

BS2-IC

Beschreibung: BASIC STAMP II MODULE

Hersteller: Parallax, Inc.
vorrätig
RFQ
BS22-M

BS22-M

Beschreibung: CONN SPLICE 22-26 AWG CRIMP

Hersteller: Panduit
vorrätig
RFQ
BS201246EU

BS201246EU

Beschreibung: STRAP BRAIDED BONDING 2HOLE

Hersteller: Panduit
vorrätig
RFQ
BS24EM13-24

BS24EM13-24

Beschreibung: MARKINGPLATE10MMPITCH MARKED 13

Hersteller: Altech Corporation
vorrätig
RFQ
BS2101F-E2

BS2101F-E2

Beschreibung: 600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BS202446EU

BS202446EU

Beschreibung: STRAP BRAIDED BONDING 2HOLE

Hersteller: Panduit
vorrätig
RFQ
BS250P

BS250P

Beschreibung: MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BS24EM1-12

BS24EM1-12

Beschreibung: MARKINGPLATE10MMPITCH MARKED 1 -

Hersteller: Altech Corporation
vorrätig
RFQ
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