DTA123YCAT116

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Spezifikation

Artikelnummer

DTA123YCAT116
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTA123YCAT116.pdf
2.DTA123YCAT116.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SST3
Serie

*
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

DTA123YCAMGT116
DTA123YCAT116TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

22 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "DTA123YCAT116" -Einziper.

DTA124ECAT116

Beschreibung: PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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