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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > DTC115ECAT116

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2137229

DTC115ECAT116-Bild.

LAPIS Semiconductor

DTC115ECAT116

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC115ECAT116
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTC115ECAT116.pdf
2.DTC115ECAT116.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SST3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

DTC115ECAMGT116
DTC115ECAT116TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

82 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "DTC115ECAT116" -Einziper.

DTC114YM3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC115EUAT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115ECAHZGT116

DTC115ECAHZGT116

Beschreibung: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115EETL

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115GUAT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115EM3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC115EMT2L

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115EET1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC114YUBTL

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC114YKAT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115TET1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC114YUBHZGTL

Beschreibung: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC114YMFHAT2L

Beschreibung: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115EET1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC114YU3T106

Beschreibung: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115EKAT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC114YUA-TP

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

DTC114YMT2L

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115GKAT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC114YUAT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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