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4745890EMA11T2R-Bild.LAPIS Semiconductor

EMA11T2R

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  • Artikelnummer
    EMA11T2R
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    EMT5
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
EMA14DRMD-S288

EMA14DRMD-S288

Beschreibung: CONN EDGE DUAL FMALE 28POS 0.125

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EMA10DTKN-S288

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EMA10DTMS

EMA10DTMS

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EMA10DTKT-S288

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EMA14DRMN-S288

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EMA10DTMD

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EMA14DRMS

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EMA14DRMD

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EMA14DRMI-S288

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EMA14DRMT

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EMA14DRMH-S288

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EMA14DRMI

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EMA14DRMH

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EMA14DRMN

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EMA10DTMT

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EMA10DTKS

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EMA10DTMI

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