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6101354GDZT2R4.7-Bild.LAPIS Semiconductor

GDZT2R4.7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GDZT2R4.7
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ZENER 4.7V 100MW GMD2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.GDZT2R4.7.pdf
    2.GDZT2R4.7.pdf
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz)
    4.7V
  • Toleranz
    ±5%
  • Supplier Device-Gehäuse
    GMD2
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    0201 (0603 Metric)
  • Andere Namen
    GDZT2R4.7DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Zener Diode 4.7V 100mW ±5% Surface Mount GMD2
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2µA @ 1V
  • Basisteilenummer
    GDZ4V7

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Das Folgende sind "GDZT2R4.7" -Einziper.
GDZT2R8.2

GDZT2R8.2

Beschreibung: DIODE ZENER 8.2V 100MW GMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
GDZ9V1B-HG3-18

GDZ9V1B-HG3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GDZ9V1LP3-7

GDZ9V1LP3-7

Beschreibung: DIODE ZENER DFN0603-2

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
GDZT2R5.6

GDZT2R5.6

Beschreibung: DIODE ZENER 5.6V 100MW GMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
GDZT2R5.1

GDZT2R5.1

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 100MW GMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
GDZ9V1B-E3-08

GDZ9V1B-E3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GDZ9V1B-HE3-18

GDZ9V1B-HE3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GDZ9V1B-E3-18

GDZ9V1B-E3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GDZT2R6.8

GDZT2R6.8

Beschreibung: DIODE ZENER 6.8V 100MW GMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
GDZ8V2B-HG3-08

GDZ8V2B-HG3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GDZ9V1B-G3-08

GDZ9V1B-G3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GDZ8V2B-HG3-18

GDZ8V2B-HG3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GDZT2R7.5

GDZT2R7.5

Beschreibung: DIODE ZENER 7.5V 100MW GMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
GDZ9V1B-G3-18

GDZ9V1B-G3-18

Beschreibung: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GDZ8V2BLP3-7

GDZ8V2BLP3-7

Beschreibung: DIODE ZENER 8.2V 250MW 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
GDZ9V1B-HE3-08

GDZ9V1B-HE3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GDZT2R6.2

GDZT2R6.2

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 100MW GMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
GDZ9V1B-HG3-08

GDZ9V1B-HG3-08

Beschreibung: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GDZ8V2LP3-7

GDZ8V2LP3-7

Beschreibung: DIODE ZENER 8.2V 250MW 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
GDZT2R3.9

GDZT2R3.9

Beschreibung: DIODE ZENER 3.9V 100MW GMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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