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4561094HP8K22TB-Bild.LAPIS Semiconductor

HP8K22TB

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10+
$1.252
100+
$0.99
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$0.767
1000+
$0.606
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HP8K22TB
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.HP8K22TB.pdf
    2.HP8K22TB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-HSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 mOhm @ 20A, 10V
  • Leistung - max
    25W
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN
  • Andere Namen
    HP8K22TBDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1080pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16.8nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET-Merkmal
    -
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    27A, 57A

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Zahlung
Das Folgende sind "HP8K22TB" -Einziper.
IRL6372PBF

IRL6372PBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDS6911

FDS6911

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HP8S36TB

HP8S36TB

Beschreibung: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
2N7002DWA-7

2N7002DWA-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ALD310708ASCL

ALD310708ASCL

Beschreibung: MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
RFQ
BSO4804

BSO4804

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FMM65-015P

FMM65-015P

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC-5

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FDS6982AS_G

FDS6982AS_G

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
GWM120-0075P3-SL

GWM120-0075P3-SL

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
NVMFD5875NLT3G

NVMFD5875NLT3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SQJQ980EL-T1_GE3

SQJQ980EL-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
APTC60DDAM70CT1G

APTC60DDAM70CT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
HP8KA1TB

HP8KA1TB

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI5944DU-T1-E3

SI5944DU-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DMN63D0LT-7

DMN63D0LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
STS2DNF30L

STS2DNF30L

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
APTM20HM20FTG

APTM20HM20FTG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
HP8060-9RG

HP8060-9RG

Beschreibung: POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16

Hersteller: Bel
vorrätig
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