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4551043IMD9AT108-Bild.LAPIS Semiconductor

IMD9AT108

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IMD9AT108
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.IMD9AT108.pdf
    2.IMD9AT108.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMT6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-74, SOT-457
  • Andere Namen
    IMD9AT108TR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    68 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    *MD9

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IMD2AT108

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IMD23161

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IMD16AT108

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IMD23169

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IMD20060

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IMD8AT108

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

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IMD23163

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Beschreibung: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT

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IMD23T108

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IMD1AT108

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