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6571039MTZJT-774.7B-Bild.LAPIS Semiconductor

MTZJT-774.7B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MTZJT-774.7B
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ZENER 4.7V 500MW MSD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MTZJT-774.7B.pdf
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz)
    4.7V
  • Toleranz
    ±3%
  • Supplier Device-Gehäuse
    MSD
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AG, DO-34, Axial
  • Betriebstemperatur
    -
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Impedanz (Max) (Zzt)
    80 Ohms
  • detaillierte Beschreibung
    Zener Diode 4.7V 500mW ±3% Through Hole MSD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1V

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MTZJT-776.8B

MTZJT-776.8B

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MTZJT-776.2B

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Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW MSD

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MTZJT-775.1C

MTZJT-775.1C

Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 500MW MSD

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MTZJT-775.6B

MTZJT-775.6B

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MTZJT-7736B

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Beschreibung: DIODE ZENER 36V 500MW MSD

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MTZJT-774.3B

MTZJT-774.3B

Beschreibung: DIODE ZENER 4.3V 500MW MSD

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MTZJT-7730C

MTZJT-7730C

Beschreibung: DIODE ZENER 30V 500MW MSD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MTZJT-774.7C

MTZJT-774.7C

Beschreibung: DIODE ZENER 4.7V 500MW MSD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFQ
MTZJT-774.3C

MTZJT-774.3C

Beschreibung: DIODE ZENER 4.3V 500MW MSD

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RFQ
MTZJT-7736C

MTZJT-7736C

Beschreibung: DIODE ZENER 36V 500MW MSD

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MTZJT-776.8C

MTZJT-776.8C

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RFQ
MTZJT-775.6C

MTZJT-775.6C

Beschreibung: DIODE ZENER 5.6V 500MW MSD

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MTZJT-7739B

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MTZJT-774.3A

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MTZJT-7733C

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MTZJT-776.2C

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