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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > QH8KA4TCR

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3500657

QH8KA4TCR-Bild.

LAPIS Semiconductor

QH8KA4TCR

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Spezifikation

Artikelnummer

QH8KA4TCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.QH8KA4TCR.pdf
2.QH8KA4TCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

TSMT8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 7A, 4.5V
Leistung - max

1.5W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

QH8KA4TCRCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 1.5W Surface Mount TSMT8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A

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Das Folgende sind "QH8KA4TCR" -Einziper.

SSM6L13TU(T5L,F,T)

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SLA5065 LF830

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.

vorrätig

QH8MA3TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

QH8MA4TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SH8M24TB1

SH8M24TB1

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

QH8MA2TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

APTM50AM38SCTG

APTM50AM38SCTG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

Hersteller: Microsemi

vorrätig

QH8JA1TCR

Beschreibung: 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

FDMB3800N

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

QH8KA1TCR

Beschreibung: 30V NCH+NCH POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

FQS4900TF

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EM6K31T2R

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

APTMC120TAM34CT3AG

APTMC120TAM34CT3AG

Beschreibung: POWER MODULE - SIC MOSFET

Hersteller: Microsemi

vorrätig

CMLDM7003T TR

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

Hersteller: Central Semiconductor

vorrätig

APTC60HM70T1G

APTC60HM70T1G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1

Hersteller: Microsemi

vorrätig

SI7236DP-T1-GE3

SI7236DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

QH8KA2TCR

Beschreibung: 30V NCH+NCH POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SI7911DN-T1-GE3

SI7911DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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