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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RAL025P01TCR
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131127RAL025P01TCR-Bild.LAPIS Semiconductor

RAL025P01TCR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RAL025P01TCR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RAL025P01TCR.pdf
    2.RAL025P01TCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    -8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TUMT6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    320mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, Flat Leads
  • Andere Namen
    RAL025P01TCRCT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    12V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 12V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RAL025P01TCR" -Einziper.
IRF7807VD1

IRF7807VD1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXTH90N15T

IXTH90N15T

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 90A TO247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RAL045P01TCR

RAL045P01TCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTB30N20

NTB30N20

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDB8832-F085

FDB8832-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STD19NF20

STD19NF20

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
FDP12N60NZ

FDP12N60NZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVTFS5C471NLWFTAG

NVTFS5C471NLWFTAG

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF6100PBF

IRF6100PBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NTTFS5820NLTWG

NTTFS5820NLTWG

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFS3307

IRFS3307

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RAL035P01TCR

RAL035P01TCR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
94-4764

94-4764

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 140A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 12A SC-70

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
STF20NM60D

STF20NM60D

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IXTC220N075T

IXTC220N075T

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXTV18N60PS

IXTV18N60PS

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
AOL1208

AOL1208

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8ULTRASO

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
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