RAQ045P01TCR

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Spezifikation

Artikelnummer

RAQ045P01TCR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RAQ045P01TCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

-8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

600mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

RAQ045P01TCRCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 4.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A (Ta)

Das Folgende sind "RAQ045P01TCR" -Einziper.

AUIRLR3110Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 63A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

2SK0615

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP

Hersteller: Panasonic

vorrätig

RFQ

FQP9P25

Beschreibung: MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

HUFA75345G3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

JAN2N7236U

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

2V7002WT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

CPH3461-TL-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SI2307-TP

Beschreibung: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

RFQ

RAQ045P01MGTCR

Beschreibung: 1.5V DRIVE PCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFQ

FDP045N10A

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

IXTH110N10L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 110A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

IRFD9210PBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SPP70N10L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IRF1010NSTRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

MKE38RK600DFELB

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 50A SMPD

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

IRF7451TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

AO4437L

Beschreibung: MOSFET P-CH 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RFQ

IRFS7734PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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RFQ

GP2M005A050PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

RFQ

BSZ023N04LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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CPH3461-TL-H

SI2307-TP

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IRF1010NSTRL

MKE38RK600DFELB

IRF7451TRPBF

AO4437L

IRFS7734PBF

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BSZ023N04LSATMA1

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