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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RDN120N25FU6

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RDN120N25FU6-Bild.

LAPIS Semiconductor

RDN120N25FU6

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Spezifikation

Artikelnummer

RDN120N25FU6
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RDN120N25FU6.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220FN
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

210 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

40W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1224pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 250V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Ta)

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Das Folgende sind "RDN120N25FU6" -Einziper.

RDN080N25FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IXFH35N30

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RDN100N20

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

AOTF474

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 9A TO220FL

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

2N6788

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TO-205AF

Hersteller: Microsemi

vorrätig

IRFIB8N50KPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

EPC8004ENGR

Beschreibung: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

IPD50N06S214ATMA1

IPD50N06S214ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRLR4343TRL

IRLR4343TRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

MTP2P50EG

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQA85N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RDN150N20FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RDN100N20FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RDN120N25

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RDN050N20FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF5210STRLPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

STF30N10F7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

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