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6515170RF505TF6S-Bild.LAPIS Semiconductor

RF505TF6S

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$0.657
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RF505TF6S
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RF505TF6S.pdf
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220NFM
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 5A Through Hole TO-220NFM
  • Strom - Richt (Io)
    5A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "RF505TF6S" -Einziper.
RF501BM2STL

RF501BM2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RF5110GTR7

RF5110GTR7

Beschreibung: IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN

Hersteller: RFMD
vorrätig
RFQ
RF5626

RF5626

Beschreibung: IC RF AMP 4.9GHZ-5.85GHZ

Hersteller: RFMD
vorrätig
RFQ
RF505BM6STL

RF505BM6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RF5730

RF5730

Beschreibung: SCOTCH OUTDOOR FASTENERS RF5730

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
RF501BM2SFHTL

RF501BM2SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODES

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RF5500

RF5500

Beschreibung: IC SWITCH WLAN SP3T 8DFN

Hersteller: RFMD
vorrätig
RFQ
RF5373

RF5373

Beschreibung: IC AMP 802.11B/G/N 2.4GHZ 8QFN

Hersteller: RFMD
vorrätig
RFQ
RF5122

RF5122

Beschreibung: IC AMP 802.11B/G/N 2.4GHZ 8QFN

Hersteller: RFMD
vorrätig
RFQ
RF5516

RF5516

Beschreibung: IC SWITCH WLAN SP2T

Hersteller: RFMD
vorrätig
RFQ
RF5731

RF5731

Beschreibung: SCOTCH OUTDOOR FASTENERS RF5731

Hersteller: 3M
vorrätig
RFQ
RF501PS2STB

RF501PS2STB

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A 8TSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RF501B6STL

RF501B6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RF501B2STL

RF501B2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A CPD

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
RFQ
RF505B6STL

RF505B6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RF5187TR7

RF5187TR7

Beschreibung: IC AMP UMTS 800MHZ-2.5GHZ 8SOIC

Hersteller: RFMD
vorrätig
RFQ
RF5652

RF5652

Beschreibung: IC RF AMP WIMAX 2.4GHZ 32QFN

Hersteller: RFMD
vorrätig
RFQ
RF505BM6SFHTL

RF505BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODES

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RF5110G

RF5110G

Beschreibung: IC AMP GSM 800MHZ-950MHZ 16QFN

Hersteller: RFMD
vorrätig
RFQ
RF5110GPCK-410

RF5110GPCK-410

Beschreibung: KIT EVAL FOR RF5110G

Hersteller: RFMD
vorrätig
RFQ
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