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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RFNL5TJ6SGC9

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2270851

RFNL5TJ6SGC9-Bild.

LAPIS Semiconductor

RFNL5TJ6SGC9

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Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

RFNL5TJ6SGC9
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RFNL5TJ6SGC9.pdf
2.RFNL5TJ6SGC9.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 5A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

600V
Supplier Device-Gehäuse

TO-220ACFP
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

130ns
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-2 Full Pack
Betriebstemperatur - Anschluss

150°C (Max)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 600V 5A Through Hole TO-220ACFP
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 600V
Strom - Richt (Io)

5A
Kapazität @ Vr, F

-

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Das Folgende sind "RFNL5TJ6SGC9" -Einziper.

RFNL5BM6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFNL5BGE6STL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5B3STL

RFN5B3STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5B2STL

RFN5B2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BGE3STL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM2SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5B6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN6B2DTL

RFN6B2DTL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3BM6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM3SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN6BM2DTL

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFNL10TJ6SGC9

Beschreibung: DIODE GP 600V 10A TO220ACFP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM3STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN6BM2DFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFNL5BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFNL20TJ6SGC9

Beschreibung: DIODE GP 600V 20A TO220ACFP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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