Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RFU02VSM6STR
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6733518RFU02VSM6STR-Bild.LAPIS Semiconductor

RFU02VSM6STR

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.092
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    RFU02VSM6STR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GP 600V 200MA TUMD2SM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RFU02VSM6STR.pdf
    2.RFU02VSM6STR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.2V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TUMD2SM
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    2-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    RFU02VSM6STRTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 200mA Surface Mount TUMD2SM
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "RFU02VSM6STR" -Einziper.
RFUS1918BK1

RFUS1918BK1

Beschreibung: SHELF FIXED 18X17.8X1.7" BLACK

Hersteller: Hammond Manufacturing
vorrätig
RFQ
RFUH10NS4SFHTL

RFUH10NS4SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUH20TB4S

RFUH20TB4S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 430V 20A TO220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUH20TF6S

RFUH20TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFU02VSM8STR

RFU02VSM8STR

Beschreibung: DIODE GP 800V 200MA TUMD2SM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFU5TF6S

RFU5TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUH20NS6STL

RFUH20NS6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUH30TS6SGC11

RFUH30TS6SGC11

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUS10TF4S

RFUS10TF4S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUH30TS6DGC11

RFUH30TS6DGC11

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUH10NS6STL

RFUH10NS6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUH20NS6SFHTL

RFUH20NS6SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUH10NS4STL

RFUH10NS4STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFU20TM5S

RFU20TM5S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 530V 20A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUH10TF6S

RFUH10TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFU10TF6S

RFU10TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUS1926BK1

RFUS1926BK1

Beschreibung: SHELF FIXED 26X17.8X1.74" BLACK

Hersteller: Hammond Manufacturing
vorrätig
RFQ
RFUS1921BK1

RFUS1921BK1

Beschreibung: SHELF FIXED 21X17.8X1.74" BLACK

Hersteller: Hammond Manufacturing
vorrätig
RFQ
RFUH10NS6SFHTL

RFUH10NS6SFHTL

Beschreibung: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFUS1921CG1

RFUS1921CG1

Beschreibung: SHELF FIXED 21X17.8X1.74" BE/GY

Hersteller: Hammond Manufacturing
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.