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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > RGTV00TK65DGC11
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1098435RGTV00TK65DGC11-Bild.LAPIS Semiconductor

RGTV00TK65DGC11

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RGTV00TK65DGC11
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    650V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • Testbedingung
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    41ns/142ns
  • Schaltenergie
    1.17mJ (on), 940µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-3PFM
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    102ns
  • Leistung - max
    94W
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-3PFM, SC-93-3
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    104nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 650V 45A 94W Through Hole TO-3PFM
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    200A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    45A
RGTMP

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RGTH80TS65DGC11

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGTV00TS65GC11

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGTH80TS65GC11

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RGTV60TK65DGVC11

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Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGTV00TK65GVC11

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Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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Hersteller: Panduit
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RGTV00TS65DGC11

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Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGTS

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Beschreibung: SHT MTL SCREW HEX SLOTTED #12-24

Hersteller: Panduit
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RGTV60TK65GVC11

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGTV60TS65DGC11

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Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RGTH60TS65DGC11

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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