RMW130N03TB

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Spezifikation

Artikelnummer

RMW130N03TB
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

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Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RMW130N03TB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-PSOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.6 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)

3W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

RMW130N03TBTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 13A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-PSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13A (Ta)

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