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RQ3E100BNTB

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RQ3E100BNTB
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RQ3E100BNTB.pdf
    2.RQ3E100BNTB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-HSMT (3.2x3)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.4 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerVDFN
  • Andere Namen
    RQ3E100BNTBTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1100pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Ta)

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RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

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RQ3E120BNTB

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

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