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1353425RR601BM4SFHTL-Bild.LAPIS Semiconductor

RR601BM4SFHTL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RR601BM4SFHTL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    RECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RR601BM4SFHTL.pdf
    2.RR601BM4SFHTL.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    RR601BM4SFHTLTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 6A Surface Mount TO-252
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "RR601BM4SFHTL" -Einziper.
SS16HM2G

SS16HM2G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RR601BM4STL

RR601BM4STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 6A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4148W-HE3-08

1N4148W-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
CDBA140LL-G

CDBA140LL-G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
EGL41C-E3/96

EGL41C-E3/96

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
JANTX1N5416

JANTX1N5416

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
R306100

R306100

Beschreibung: RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
VS-307URA250

VS-307URA250

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.5KV 300A DO9

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS19WTR

BAS19WTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT323

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
SRAS8150 MNG

SRAS8150 MNG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 8A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GATELEAD1110008XPSA1

GATELEAD1110008XPSA1

Beschreibung: HIGH POWER THYR / DIO

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
8ETH03S

8ETH03S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
RR601B4STL

RR601B4STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SK36-7

SK36-7

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
20ETF10STRL

20ETF10STRL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3KHE3_A/I

S3KHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SBAS16HT3G

SBAS16HT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1PD-M3/84A

S1PD-M3/84A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AU02ZV0

AU02ZV0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 800MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
S1BL R3G

S1BL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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