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1501209RRE02VSM4STR-Bild.LAPIS Semiconductor

RRE02VSM4STR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RRE02VSM4STR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RRE02VSM4STR.pdf
    2.RRE02VSM4STR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TUMD2SM
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    2-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    RRE02VSM4STRTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 200mA Surface Mount TUMD2SM
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "RRE02VSM4STR" -Einziper.
RRE04EA6DFHTR

RRE04EA6DFHTR

Beschreibung: RECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRE07VTM6SFHTR

RRE07VTM6SFHTR

Beschreibung: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-SD500N45MSC

VS-SD500N45MSC

Beschreibung: MOD DIODE 560A 4500V B-PUK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
RRE02VTM4SFHTR

RRE02VTM4SFHTR

Beschreibung: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRE02VSM6STR

RRE02VSM6STR

Beschreibung: DIODE GP 600V 200MA TUMD2SM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRE02VS4SGTR

RRE02VS4SGTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRE07VSM6STR

RRE07VSM6STR

Beschreibung: DIODE GP 600V 700MA TUMD2SM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRE04EA4DFHTR

RRE04EA4DFHTR

Beschreibung: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3891R

1N3891R

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RRE02VTM6SFHTR

RRE02VTM6SFHTR

Beschreibung: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
GP10K-E3/73

GP10K-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RRE02VS6SGTR

RRE02VS6SGTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2S

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
RRE07VSM4STR

RRE07VSM4STR

Beschreibung: DIODE GP 400V 700MA TUMD2SM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRD3CH53DF6

IRD3CH53DF6

Beschreibung: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RA 13V

RA 13V

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
RRE07VTM4SFHTR

RRE07VTM4SFHTR

Beschreibung: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRE04EA4DTR

RRE04EA4DTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SB3H100-E3/73

SB3H100-E3/73

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBR0530T3

MBR0530T3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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