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RSS110N03TB

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RSS110N03TB
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.7 mOhm @ 11A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    RSS110N03TB-ND
    RSS110N03TBTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1300pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    11A (Ta)
RSS1E270MCN1GS

RSS1E270MCN1GS

Beschreibung: CAP ALUM POLY 27UF 20% 25V SMD

Hersteller: Nichicon
vorrätig
RSS140N03TB

RSS140N03TB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS100N03FRATB

RSS100N03FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS130N03FU6TB

RSS130N03FU6TB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS125N03TB

RSS125N03TB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS120N03TB

RSS120N03TB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS1E220MCN1GS

RSS1E220MCN1GS

Beschreibung: CAP ALUM POLY 22UF 20% 25V SMD

Hersteller: Nichicon
vorrätig
RSS100N03FU6TB

RSS100N03FU6TB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS105N03FU6TB

RSS105N03FU6TB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS110N03FU6TB

RSS110N03FU6TB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS0J221MCN1GS

RSS0J221MCN1GS

Beschreibung: CAP ALUM POLY 220UF 20% 6.3V SMD

Hersteller: Nichicon
vorrätig
RSS105N03TB

RSS105N03TB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS120N03FU6TB

RSS120N03FU6TB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS100N03TB

RSS100N03TB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS1E100MCN1GS

RSS1E100MCN1GS

Beschreibung: CAP ALUM POLY 10UF 20% 25V SMD

Hersteller: Nichicon
vorrätig
RSS0J331MCN1GS

RSS0J331MCN1GS

Beschreibung: CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V SMD

Hersteller: Nichicon
vorrätig
RSS125N03FU6TB

RSS125N03FU6TB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RSS0J101MCN1GS

RSS0J101MCN1GS

Beschreibung: CAP ALUM POLY 100UF 20% 6.3V SMD

Hersteller: Nichicon
vorrätig
RSS1C101MCN1GS

RSS1C101MCN1GS

Beschreibung: CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V SMD

Hersteller: Nichicon
vorrätig
RSS0E561MCN1GS

RSS0E561MCN1GS

Beschreibung: CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V SMD

Hersteller: Nichicon
vorrätig

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