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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RUF025N02FRATL

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RUF025N02FRATL-Bild.

LAPIS Semiconductor

RUF025N02FRATL

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Spezifikation

Artikelnummer

RUF025N02FRATL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RUF025N02FRATL.pdf
2.RUF025N02FRATL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TUMT3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

800mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

3-SMD, Flat Leads
Andere Namen

RUF025N02FRATLTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RUF025N02FRATL" -Einziper.

IPF09N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

TSM650P02CX RFG

TSM650P02CX RFG

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GP1M011A050HS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

CSD16342Q5A

CSD16342Q5A

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

vorrätig

CSD19502Q5BT

CSD19502Q5BT

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

vorrätig

FDD6N50TM-F085

FDD6N50TM-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IRFR010TRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SPN04N60S5

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SIHA4N80E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IRFI9640GPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

NDD03N40ZT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RUF015N02TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SQM200N04-1M7L_GE3

SQM200N04-1M7L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 200A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

AOI442

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7A TO251A

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RUF025N02TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

APTML50UM90R020T1AG

APTML50UM90R020T1AG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 52A SP1

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RUF020N02TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

STP42N65M5

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 33A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

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