RUL035N02TR

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Spezifikation

Artikelnummer

RUL035N02TR
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RUL035N02TR.pdf
2.RUL035N02TR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TUMT6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

320mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-SMD, Flat Leads
Andere Namen

RUL035N02CT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 3.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.5A (Ta)

Das Folgende sind "RUL035N02TR" -Einziper.

AO3162

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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RFQ

IXFN44N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

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RFQ

EKI10126

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 66A TO-220

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.

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RFQ

UPA2820T1S-E2-AT

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

RFQ

VN2210N2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39-3

Hersteller: Micrel / Microchip Technology

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RFQ

IXFC12N80P

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220

Hersteller: IXYS Corporation

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RFQ

NTD24N06-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

IRF5806

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

FCH041N65F-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 76A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

BUK9535-55,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

RFQ

RULBK

Beschreibung: HARDWARE RACK UNIT LABEL

Hersteller: Hammond Manufacturing

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RFQ

IXTH12N100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation

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RFQ

IXFV36N50PS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

FDS7064N

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

NDT451AN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

RUL035N02FRATR

Beschreibung: NCH 20V 3.5A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFQ

IRFHM8330TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

FQB47P06TM-AM002

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FQD16N15TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

IRFR9024TRL

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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