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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RUU002N05T106
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4152943RUU002N05T106-Bild.LAPIS Semiconductor

RUU002N05T106

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RUU002N05T106
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RUU002N05T106.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    200mW (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Andere Namen
    RUU002N05T106DKR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    50V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    200mA (Ta)

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Das Folgende sind "RUU002N05T106" -Einziper.
2SK2503TL

2SK2503TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5A DPAK

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFU9024

IRFU9024

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI3438DV-T1-E3

SI3438DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FCPF9N60NTYDTU

FCPF9N60NTYDTU

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI7196DP-T1-GE3

SI7196DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FDB2710

FDB2710

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXKF40N60SCD1

IXKF40N60SCD1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
AOT282L

AOT282L

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 18.5A TO220

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IRL3714LPBF

IRL3714LPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 36A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
N0602N-S19-AY

N0602N-S19-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_100+

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXTQ44P15T

IXTQ44P15T

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
STB13N80K5

STB13N80K5

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
NTTFS5116PLTAG

NTTFS5116PLTAG

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STD3LN62K3

STD3LN62K3

Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IRL3103LPBF

IRL3103LPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 64A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NTMFS6B05NT3G

NTMFS6B05NT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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