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3292353RYM002N05T2CL-Bild.LAPIS Semiconductor

RYM002N05T2CL

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  • Artikelnummer
    RYM002N05T2CL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RYM002N05T2CL.pdf
    2.RYM002N05T2CL.pdf
    3.RYM002N05T2CL.pdf
    4.RYM002N05T2CL.pdf
    5.RYM002N05T2CL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    800mV @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    VMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    150mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-723
  • Andere Namen
    RYM002N05T2CLCT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    26pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    0.9V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    50V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    200mA (Ta)

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RYM06DRSH

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RYM06DRMN-S664

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RYM06DRSD-S273

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RYM06DRMN-S288

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RYM06DRMT-S273

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RYM06DRSD-S288

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RYM06DRMH

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RYM06DRMD-S288

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RYM06DRMS

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RYM06DRSD-S664

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RYM06DRMH-S288

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RYM06DRMD

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RYM06DRMD-S273

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