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2418789RZF020P01TL-Bild.LAPIS Semiconductor

RZF020P01TL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RZF020P01TL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RZF020P01TL.pdf
    2.RZF020P01TL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TUMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    800mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    3-SMD, Flat Leads
  • Andere Namen
    RZF020P01TL-ND
    RZF020P01TLTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    770pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    12V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 12V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2A (Ta)

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Das Folgende sind "RZF020P01TL" -Einziper.
2N7002E

2N7002E

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
RZF013P01TL

RZF013P01TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
TK8S06K3L(T6L1,NQ)

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
JANTXV2N6766T1

JANTXV2N6766T1

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
IRF820STRRPBF

IRF820STRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BS107ARL1

BS107ARL1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF6678TRPBF

IRF6678TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RZF030P01TL

RZF030P01TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFT1341-C-TL-W

SFT1341-C-TL-W

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 10A TP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMP6185SEQ-13

DMP6185SEQ-13

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SCTWA20N120

SCTWA20N120

Beschreibung: IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
FQB4N20TM

FQB4N20TM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IRLR7843CTRPBF

IRLR7843CTRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AON7244

AON7244

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 20A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
FQP3N50C-F080

FQP3N50C-F080

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRF6626

IRF6626

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
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