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SP8J65TB1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SP8J65TB1
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    29 mOhm @ 7A, 10V
  • Leistung - max
    2W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1200pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 5V
  • Typ FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7A
  • Basisteilenummer
    *J65

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Das Folgende sind "SP8J65TB1" -Einziper.
SP8J66TB1

SP8J66TB1

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8K22FU6TB

SP8K22FU6TB

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8J2FU6TB

SP8J2FU6TB

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8143-06UTG

SP8143-06UTG

Beschreibung: TVS DIODE 5V 10.3V 16UDFN

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
SP8J2TB

SP8J2TB

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8142-04UTG

SP8142-04UTG

Beschreibung: TVS DIODE 5V 10.3V 10UDFN

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
RFQ
SP8K1FU6TB

SP8K1FU6TB

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8J4TB

SP8J4TB

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8J1FU6TB

SP8J1FU6TB

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8K24FU6TB

SP8K24FU6TB

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8K1TB

SP8K1TB

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8K31FRATB

SP8K31FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8J3FU6TB

SP8J3FU6TB

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8K2FU6TB

SP8K2FU6TB

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8K24FRATB

SP8K24FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8J1TB

SP8J1TB

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8J5FU6TB

SP8J5FU6TB

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8J5TB

SP8J5TB

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8K22FRATB

SP8K22FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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SP8K2TB

SP8K2TB

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

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