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1911087TFZVTR6.8B-Bild.LAPIS Semiconductor

TFZVTR6.8B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TFZVTR6.8B
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2M
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.TFZVTR6.8B.pdf
    2.TFZVTR6.8B.pdf
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz)
    6.8V
  • Toleranz
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    TUMD2M
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    2-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    TFZVTR6.8BCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Impedanz (Max) (Zzt)
    8 Ohms
  • detaillierte Beschreibung
    Zener Diode 6.8V 500mW Surface Mount TUMD2M
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2µA @ 3.5V

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TFZVTR7.5B

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Beschreibung: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2M

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TFZVTR33B

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Beschreibung: ZENER DIODE

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TFZVTR5.6B

Beschreibung: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2M

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TFZVTR4.7B

TFZVTR4.7B

Beschreibung: DIODE ZENER 4.7V 500MW TUMD2M

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TFZVTR39B

TFZVTR39B

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TFZVTR3.6B

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Beschreibung: ZENER DIODE

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TFZVTR20B

Beschreibung: DIODE ZENER 20V 500MW TUMD2M

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TFZVTR6.2B

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Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2M

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TFZVTR36B

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Beschreibung: ZENER DIODE

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TFZVTR24B

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TFZVTR5.1B

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TFZVTR4.3B

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TFZVTR3.0B

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TFZVTR8.2B

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