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UMH10NTN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UMH10NTN
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.UMH10NTN.pdf
    2.UMH10NTN.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMT6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    2.2 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    UMH10NTNCT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    *MH10

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XP0431100L

XP0431100L

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMC564030R

DMC564030R

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
UMH6NTR

UMH6NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMH3NFHATN

UMH3NFHATN

Beschreibung: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMH2N-TP

UMH2N-TP

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
UMH1NTN

UMH1NTN

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
NSBA144EDXV6T5

NSBA144EDXV6T5

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMH2NTN

UMH2NTN

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMH3NTN

UMH3NTN

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMH9NTN

UMH9NTN

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMH5NTR

UMH5NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMH7NTR

UMH7NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EMB51T2R

EMB51T2R

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMH1N-TP

UMH1N-TP

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
UMH11NTN

UMH11NTN

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BCR35PNE6433HTMA1

BCR35PNE6433HTMA1

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
UMH4NTN

UMH4NTN

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMH8NTR

UMH8NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMH14NTR

UMH14NTR

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UMH11N-TP

UMH11N-TP

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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