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3317108ZDX080N50-Bild.LAPIS Semiconductor

ZDX080N50

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZDX080N50
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ZDX080N50.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FM
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    850 mOhm @ 4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    40W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    ZDX080N50CT
    ZDX080N50CT-ND
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1120pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 500V 8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Tc)

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Das Folgende sind "ZDX080N50" -Einziper.
2N6798

2N6798

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
FDD16AN08A0_NF054

FDD16AN08A0_NF054

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 50A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFU7540PBF

IRFU7540PBF

Beschreibung: MOSFET N CH 60V 90A I-PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RDD020N60TL

RDD020N60TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
CPH6443-TL-W

CPH6443-TL-W

Beschreibung: MOSFET N-CH 35V 6A CPH6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STB16PF06LT4

STB16PF06LT4

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IPN95R1K2P7ATMA1

IPN95R1K2P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STP5NK80ZFP

STP5NK80ZFP

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STP6N120K3

STP6N120K3

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
AUIRFR48Z

AUIRFR48Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
TK2Q60D(Q)

TK2Q60D(Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
IPN70R1K2P7SATMA1

IPN70R1K2P7SATMA1

Beschreibung: COOLMOS P7 700V SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
ZDX130N50

ZDX130N50

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFD110PBF

IRFD110PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXTH200N10T

IXTH200N10T

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 200A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
SPI100N03S2-03

SPI100N03S2-03

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AO3414

AO3414

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
ZDX050N50

ZDX050N50

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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