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5875302DS1230AB-120-Bild.Maxim Integrated

DS1230AB-120

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DS1230AB-120
  • Hersteller / Marke
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    DS1230AB-120.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    120ns
  • Spannungsversorgung
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    28-EDIP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Andere Namen
    DS1230AB120
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Kb (32K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    NVSRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 120ns 28-EDIP
  • Basisteilenummer
    DS1230AB
  • Zugriffszeit
    120ns

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DS1225Y-200IND+

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DS1230AB-100

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DS1225Y-200+

DS1225Y-200+

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DS1225AD-70IND+

DS1225AD-70IND+

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DS1230AB-120+

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DS1230AB-200

DS1230AB-200

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DS1230AB-70+

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DS1225AD-85

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DS1230AB-100+

DS1230AB-100+

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DS1225AD-70IND

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DS1230AB-150

DS1230AB-150

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DS1230AB-200IND

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DS1230AB-120IND+

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