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200754DS1230W-100+-Bild.Maxim Integrated

DS1230W-100+

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250+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DS1230W-100+
  • Hersteller / Marke
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DS1230W-100+.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    100ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    28-EDIP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Andere Namen
    DS1230W100
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Kb (32K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    NVSRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 100ns 28-EDIP
  • Basisteilenummer
    DS1230W
  • Zugriffszeit
    100ns

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DS1230ABP-70

DS1230ABP-70

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DS1230WP-150

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DS1230WP-100+

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DS1230AB-85+

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DS1230WP-150+

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DS1230W-100IND+

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DS1230Y-100

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DS1230AB-85

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DS1230W-150

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DS1230W-100IND

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DS1230ABP-70IND

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