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DS1250AB-100IND+

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DS1250AB-100IND+
  • Hersteller / Marke
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DS1250AB-100IND+.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    100ns
  • Spannungsversorgung
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    32-EDIP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    NVSRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP
  • Basisteilenummer
    DS1250AB
  • Zugriffszeit
    100ns

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DS1250ABP-100

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DS1250AB-70IND+

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DS1250ABP-70IND

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DS1250AB-70+

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