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1F7-TP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1F7-TP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GPP FAST 1A R-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 40V
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-1
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    R-1 (Axial)
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 1A Through Hole R-1
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    12pF @ 4V, 1MHz
ST30100

ST30100

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
VS-SD303C08S10C

VS-SD303C08S10C

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 350A DO200AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1F7TA

1F7TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A R-1

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
BYC20-600,127

BYC20-600,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 20A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
JAN1N6643US

JAN1N6643US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
BYC20X-600PQ

BYC20X-600PQ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
S1KL R3G

S1KL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
UH1BHE3/61T

UH1BHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4005E-E3/54

1N4005E-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1BLHMHG

S1BLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS216,135

BAS216,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
MBRB1660HE3_A/I

MBRB1660HE3_A/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-60EPU02-N3

VS-60EPU02-N3

Beschreibung: DIODE INPUT 60A 200V TO-247

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
B240-13

B240-13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
APT30D100BG

APT30D100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MUR7010

MUR7010

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 70A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
CDBB140SLR-HF

CDBB140SLR-HF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
STF15150

STF15150

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V ITO220AC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
1N459A

1N459A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 150MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MBRH20020

MBRH20020

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 200A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig

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