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EDB8164B4PR-1D-F-D

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  • Artikelnummer
    EDB8164B4PR-1D-F-D
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    EDB8164B4PR-1D-F-D.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    216-FBGA (12x12)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    216-WFBGA
  • Betriebstemperatur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    8Gb (128M x 64)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 533MHz 216-FBGA (12x12)
  • Uhrfrequenz
    533MHz

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

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Beschreibung: KIT DEVELOPMENT EP9307 ARM9

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Beschreibung: KIT DEVELOPMENT EP73XX ARM7

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Beschreibung: KIT DEVELOPMENT EP9302 ARM9

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Beschreibung: KIT DEVELOPMENT EP9301 ARM9

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

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