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EDF8164A3MA-JD-F-R TR

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  • Artikelnummer
    EDF8164A3MA-JD-F-R TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    EDF8164A3MA-JD-F-R
    EDF8164A3MA-JD-F-R TR-ND
    EDF8164A3MA-JD-F-RTR
  • Betriebstemperatur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    8Gb (128M x 64)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 933MHz
  • Uhrfrequenz
    933MHz
EDF8164A3MD-GD-F-R

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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EDF8164A3MC-GD-F-R

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EDF8132A3PF-GD-F-D

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EDF8164A3MA-GD-F-D

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EDF8132A3PK-GD-F-D

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