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EDFP112A3PB-GD-F-D

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EDFP112A3PB-GD-F-D
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    -30°C ~ 85°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    24Gb (192M x 128)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 24Gb (192M x 128) Parallel 800MHz
  • Uhrfrequenz
    800MHz
EDFB164A1PB-JD-F-D

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Beschreibung: IC DRAM 32G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
EDFP112A3PB-GD-F-D TR

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Beschreibung: IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

Hersteller: Micron Technology
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EDFB232A1MA-JD-F-D

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Beschreibung: IC DRAM 32G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
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EDFP112A3PB-GDTJ-F-R

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Beschreibung: IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 12G PARALLEL 800MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 32G PARALLEL 800MHZ

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EDFP112A3PB-JD-F-D

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Beschreibung: IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 12G PARALLEL 800MHZ

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