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EDFP112A3PB-JDTJ-F-D

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EDFP112A3PB-JDTJ-F-D
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Serie
    -
  • Verpackung
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    -
  • Betriebstemperatur
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • Befestigungsart
    -
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    24Gb (192M x 128)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 24Gb (192M x 128) Parallel 933MHz
  • Uhrfrequenz
    933MHz
EDFP112A3PF-GD-F-D

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Beschreibung: IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

Hersteller: Micron Technology
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