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JS28F512M29EBHB TR

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  • Artikelnummer
    JS28F512M29EBHB TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512M PARALLEL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    110ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    JS28F512M29EBHB TR-ND
    JS28F512M29EBHBTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8, 32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 110ns
  • Zugriffszeit
    110ns

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Hersteller: Micron Technology
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JS28F320J3D75B TR

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Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology
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JS28F320J3F75E

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Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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JS28F512P30EF0

JS28F512P30EF0

Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology
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JS28F512M29EWLA

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology
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JS28F320J3D75E

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Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology
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JS28F320J3D75A

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Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology
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JS28F320J3F75F

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Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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JS28F320J3D75D TR

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Beschreibung: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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JS28F512M29EWLD

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JS28F512M29AWHB TR

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Hersteller: Micron Technology
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JS28F512M29EWL0

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JS28F512P30BFA

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Beschreibung: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

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JS28F512M29EWH0

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JS28F512M29EWLB TR

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JS28F512M29EWHA

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