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M29F400FB5AM6T2 TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    M29F400FB5AM6T2 TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 4M PARALLEL 44SO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-SO
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
  • Andere Namen
    M29F400FB5AM6T2 TR-ND
    M29F400FB5AM6T2TR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (512K x 8, 256K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 4Mb (512K x 8, 256K x 16) Parallel 55ns 44-SO
  • Zugriffszeit
    55ns
M29F400FB55M3T2 TR

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Beschreibung: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

Hersteller: Micron Technology
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M29F400FB55N3F2 TR

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Beschreibung: IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP

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M29F400FB55N3E2

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Beschreibung: IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP

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M29F400FT55M3E2

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M29F400FT5AM62

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Beschreibung: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

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M29F400FB5AN6E2

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M29F400FT55M3F2 TR

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M29F400FT55M32

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M29F400FB55M3E2

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M29F400FT5AN6E2

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M29F400FB5AM62

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M29F400FT55N3F2 TR

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M29F400FB55M3F2 TR

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M29F400FB5AM6F2 TR

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M29F400FB5AM6T2

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M29F400BT90N6T TR

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M29F400FB55M32

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M29F400FT55N3E2

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