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M29F800DB55N6E

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  • Artikelnummer
    M29F800DB55N6E
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TSOP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 55ns 48-TSOP
  • Basisteilenummer
    M29F800
  • Zugriffszeit
    55ns

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Hersteller: Micron Technology
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M29F800DB70N6T TR

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Beschreibung: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
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M29F800DB70N1

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Hersteller: Micron Technology
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M29F800DB70M1

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Hersteller: Micron Technology
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M29F800DB70M6E

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Beschreibung: IC FLASH 8M PARALLEL 44SO

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M29F400FT5AN6E2

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Beschreibung: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

Hersteller: Micron Technology
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M29F400FT55M3T2 TR

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Beschreibung: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

Hersteller: Micron Technology
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M29F400FT55M3F2 TR

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Beschreibung: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

Hersteller: Micron Technology
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M29F800DB70N6F TR

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M29F800DB55N6

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M29F800DB55N1

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M29F400FT5AM62

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M29F800DT55N1

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M29F800DB70N6

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