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4333175M29W128GL70ZA6E-Bild.Micron Technology

M29W128GL70ZA6E

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  • Artikelnummer
    M29W128GL70ZA6E
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    70ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    64-TBGA (10x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    64-TBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (16M x 8, 8M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 128Mb (16M x 8, 8M x 16) Parallel 70ns 64-TBGA (10x13)
  • Basisteilenummer
    M29W128
  • Zugriffszeit
    70ns
M29W128GH7AN6F TR

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

Hersteller: Micron Technology
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M29W128GL70ZA6F TR

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

Hersteller: Micron Technology
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M29W128GL70N6E

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

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M29W128GL70ZS3E

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA

Hersteller: Micron Technology
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M29W128GH7AZA6E

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

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M29W128GL7AZS6E

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

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Beschreibung: IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA

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M29W128GL7AZA6E

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M29W128GL70ZA3E

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M29W128GL70ZA6DE

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M29W128GL70ZS6E

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M29W128GL70ZS3F TR

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M29W128GL60ZA6E

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M29W128GL7AN6E

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