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M29W800DB45N6E

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  • Artikelnummer
    M29W800DB45N6E
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    M29W800DB45N6E.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    45ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TSOP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 45ns 48-TSOP
  • Basisteilenummer
    M29W800
  • Zugriffszeit
    45ns

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Hersteller: Micron Technology
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M29W800DB70N6T TR

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Beschreibung: IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA

Hersteller: Micron Technology
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M29W640GT90NA6E

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Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

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M29W800DB70N1

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Beschreibung: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 8M PARALLEL 44SO

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

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Beschreibung: IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

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Beschreibung: IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA

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